Saskaņā ar ārvalstu plašsaziņas līdzekļu ziņojumiem Francijas Atomenerģijas aģentūras (CEA) meitasuzņēmuma Elektroniskās informācijas tehnoloģiju institūta (Leti) inženieri apgalvo, ka viņu jaunā metode Micro LED ražošanai radikāli mainīs augstas veiktspējas displeju ražošanu, izmantojot pašreizējo LCD un izcila attēla kvalitāte un energoefektivitātes dizains salīdzinājumā ar organiskajām LED (OLED).
Francois Templier, Leti Photonics mārketinga stratēģijas direktors, nesen ieviesa jaunu ražošanas procesu, kas apvieno gaismu izstarojošus pusvadītājus ar silīcija bāzes vadītājiem, Starptautiskajā informācijas displeja (SID) izstādes nedēļā Sanhosē, Kalifornijā.
Liela izmēra displeju izstrāde, kas prasa lielāku attēla izšķirtspēju, nozīmē, ka ātrākām elektroniskām ierīcēm ir nepieciešami visi displeja tipi, tostarp Samsung jaunais komerciālais Micro, kas ietver miljoniem atsevišķu pikseļu emitētāju. LED formāts un citi produkti.
Tomēr esošās piedziņas ķēdes, kuru pamatā ir plānas plēves tranzistoru (TFT) aktīvās matricas konstrukcijas, nenodrošina vajadzīgās strāvas un ātruma prasības. Jaunā metode, ko izstrādājusi Leti, rada augstas veiktspējas GaN Micro LED displeju, ko vada CMOS ar vienkāršotu pārsūtīšanas procesu, kas novērš nepieciešamību pēc parastā TFT aizmugures plāksnes. Pirms katras vienības pārvietošanas uz vienkāršu uztveršanas substrātu sarkanās, zaļās un zilās mikrodiodes tiek novietotas tieši uz mikrosistēmas CMOS shēmu, un gaismas emitētāji un atpakaļplāksne vienlaicīgi tiek izgatavoti uz vafeļu skalas uz vienas pusvadītāju apstrādes līnijas.
